募集要項 (経験者)
募集職種 研究開発部門 当社が開発する酸化物半導体を用いた以下業務における部長、次長、課長ポジション
  ①デザインIP向け回路設計技術者
  ②AI用途のLSI回路設計技術者
  ③3D NANDの回路設計技術者
酸化物半導体に関しては、ニュースリリース「当社代表取締役山﨑舜平が、結晶性酸化物半導体CAAC-IGZO®に関する共編書3冊を2016年10月より順次刊行します」をご参照ください。
応募資格 研究開発部門 1)大卒以上
2)以下のいずれかの経験を持つ者
  ①デザインIP向け回路設計
  ②AI用途のLSI回路設計
  ③3D NANDの回路設計
3) マネジメント経験、ユーザー等への顧客対応の経験を有している者は尚可
給与 当社規定に準じます。経験、年齢、能力を考慮して優遇します。
勤務時間 9:00~17:45(研究開発部門は配属先によりシフト勤務有り)
勤務地 本社(最寄り駅:小田急線愛甲石田駅)
休日休暇 年間休日123日、週休2日制(当社カレンダーによる)、GW・夏季・年末年始の長期連続休暇、有給休暇、特別休暇
昇給・賞与 昇給年1回、賞与年2回
福利厚生 独身寮・社宅、社内食堂、売店、喫茶室、図書室、健康支援室、社内託児所、テニスコート、グラウンド、親睦会、サークル活動
各種制度:財産形成積立預金、結婚祝金、出産祝金、育児休業、介護休業
諸手当:扶養手当、通勤交通費全額支給(私有車通勤の場合は別途規定有り)、時間外勤務手当、夜勤手当
応募方法 履歴書、職務経歴書を以下窓口まで郵送で送ってください。
(写真付き、Emailアドレスを記載)
窓口 〒243-0036 神奈川県厚木市長谷398番地
株式会社 半導体エネルギー研究所 人事担当
Tel:046-248-1131(代)
Fax:046-248-7847
E-Mail: